دیتاشیت SI2325DS-T1-E3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI2325DS-T1-E3
|
| حجم فایل |
73.825
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI2325DS-T1-E3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
750mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
12nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
150V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
510pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
530mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.2Ω@10V,500mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
